Что (кто) такое Релаксация магнитная - определение

Релаксация (Физика); Релаксация (физич.)

Релаксация магнитная

один из этапов релаксации (См. Релаксация) - процесс установления термодинамического равновесия в среде с участием системы спиновых магнитных моментов (См. Магнитный момент) атомов и молекул среды. Т. к. взаимодействие между спинами (магнитными моментами спинов) во многих случаях значительно сильнее, чем др. взаимодействия, в которых участвуют спины (например, сильнее взаимодействия спинов с Фононами кристалла), то часто равновесие в самой системе спинов наступает быстрее, чем в среде в целом (для остальных внутренних степеней свободы). Поэтому Р. м. идёт поэтапно, причём, как правило, последний (наиболее длительный) этап Р. м. соответствует установлению равновесия между спинами и др. степенями свободы, например между системой спинов и квантами колебаний кристаллической решётки твёрдого тела - фононами. Каждый этап Р. м. описывается своим временем релаксации (например, в кристаллах вводят времена спин-спиновой и спин-решёточной релаксации).

В средах, обладающих магнитной структурой (в ферро- и антиферромагнетиках), Р. м. происходит благодаря столкновению спиновых волн (См. Спиновые волны) (магнонов) друг с другом, а также с фононами, с дислокациями, с атомами примесей и др. дефектами в кристаллах (См. Дефекты в кристаллах).

В твёрдых телах Р. м. существенно зависит от их структуры: характера кристаллической решётки (моно- или поликристалл), наличия примесей, дислокаций, доменной структуры (см. Домены) и т. п. Как правило, уменьшение числа дефектов в кристалле и понижение его температуры ведут к увеличению времени Р. м.

Р. м. ядерных спинов (магнитных моментов ядер) обладает своей спецификой, обусловленной особенно малым взаимодействием ядерных спинов с др. степенями свободы (См. Степень свободы) среды.

Р. м. проявляется в процессах намагничивания и перемагничивания (см. Магнитная вязкость), определяет ширину линий ядерного магнитного резонанса, электронного парамагнитного резонанса, ферро- и антиферромагнитного резонансов. Свойства ферро- и антиферромагнетиков в высокочастотных электромагнитных полях существенно зависят от Р. м. В ряде случаев Р. м. накладывает ограничения на условия применения в технике магнитных тонких плёнок (См. Магнитная тонкая плёнка), на быстродействие магнитных элементов запоминающих устройств ЭВМ и др. Времена Р. м. относятся к тем параметрам твёрдого тела, которые сравнительно легко изменяются технологической обработкой (Легированием, закалкой (См. Закалка) и т.п.).

Лит. см. при статьях Релаксация, Магнитный резонанс.

М. И. Каганов.

МАГНИТНАЯ ЛЕНТА

АНАЛОГОВЫЙ НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ В ВИДЕ ГИБКОЙ ЛЕНТЫ, ПОКРЫТОЙ ТОНКИМ МАГНИТНЫМ СЛОЕМ

Магнитная плёнка; Магнитная пленка; Magnetic tape; Магнитофонная лента; Магнитные ленты

носитель информации в виде гибкой пластмассовой ленты, покрытой тонким магнитным слоем. Информация на магнитной ленте фиксируется посредством магнитной записи. Применяется в магнитофонах, запоминающих устройствах и т. п.

Магнитная лента

АНАЛОГОВЫЙ НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ В ВИДЕ ГИБКОЙ ЛЕНТЫ, ПОКРЫТОЙ ТОНКИМ МАГНИТНЫМ СЛОЕМ

Магнитная плёнка; Магнитная пленка; Magnetic tape; Магнитофонная лента; Магнитные ленты

носитель магнитной записи (См. Магнитная запись), представляющий собой тонкую гибкую ленту, состоящую из основы и магнитного рабочего слоя. Рабочие свойства М. л. характеризуются её чувствительностью при записи и искажениями сигнала в процессе записи и воспроизведения. Наиболее широко применяется многослойная М. л. с рабочим слоем из игольчатых частиц магнитно-твёрдых порошков гамма-окиси железа (γ-Fe₂O₃), двуокиси хрома (CrO₂) и гамма-окиси железа, модифицированной кобальтом, ориентированных обычно в направлении намагничивания при записи. В 1973 фирмой "Филипс" (Нидерланды) разработан высококачественный порошок с очень мелкими игольчатыми частицами железа. В качестве основы М. л. используются полиэтилентелефталатная (лучшая), поливинилхлоридная, ди- и триацетатная плёнки. Рабочий слой наносится на основу в виде магнитного лака, состоящего из магнитного порошка, связующего вещества, растворителя, пластификатора и различных добавок, улучшающих качество М. л. После нанесения магнитного лака и его затвердевания М. л. сматывается в рулоны, а затем разрезается на полосы нужной ширины. Для улучшения качества поверхности рабочего слоя М. л. каландрируют или полируют. М. л. желательно хранить в помещении с кондиционированным и обеспыленным воздухом при температуре 20 ± 5 °С и относительной влажности 60 ± 5\%. Для работы в особо тяжёлых климатических условиях применяют металлические или биметаллические М. л.

Ширина и толщина М. л. зависят от её назначения. В звукозаписи (См. Звукозапись) используют М. л. шириной 3,81 и 6,25 мм и толщиной 9, 12, 18, 27,37 и 55 мкм (кассетные и катушечные бытовые Магнитофоны, студийные магнитофоны). Видеозапись осуществляется на М. л. шириной 50,8 и 25,4 мм и толщиной 37 мкм (студийные Видеомагнитофоны), 6,25 и 12,7 мм при толщине 37 мкм (бытовые видеомагнитофоны). В запоминающих устройствах применяют М. л. шириной 12,7 мм и толщиной 37 мкм (в ЭВМ первого "поколения" использовались также М. л. шириной 19,05 и 35 мм при толщине свыше 50 мкм). В измерительной аппаратуре применяются М. л. шириной 6,25 мм и толщиной 18 мкм, а также 12,7 и 25,4 мм и толщиной 37 мкм. В кино используют перфорированные М. л. шириной 35 мм и толщиной 150 мкм. В СССР тип М. л. обозначается комбинацией из пяти элементов: первый элемент - буква, обозначает назначение (например, А - звукозапись; Т - видеозапись и так далее); второй элемент - цифра (от 0 до 9), указывает на материал основы; третий элемент - цифра (от 0 до 9), обозначает толщину М. л. (например, 2 - 18 мкм; 3 - 27 мкм и т.д.); четвёртый элемент - цифра (от 01 до 99), обозначает технологическую разработку; пятый элемент - ширина М. л. в мм. Иногда ставят шестой дополнительный буквенный индекс: П - для перфорированных М. л.; Р - для М. л. к студийным магнитофонам; Б - для М. л. к бытовым магнитофонам. Например, А-4402-6 обозначает М. л. для звукозаписи на лавсановой основе, толщиной 37 мкм, шириной 6,25 мм (технологическая разработка - 02).

Разрабатываются металлизированные М. л. с тонким рабочим слоем из сплавов Со-Ni, Со-Р, Со-N-Р и Со-W, нанесённым электроосаждением, химическим восстановлением или напылением в вакууме.

Лит.: Мазо Я. А., Магнитная лента, М., 1968; Каган Б. М., Адасько В. И., Пурэ Р. Р., Запоминающие устройства большой емкости, М., 1968.

Я. А. Мазо, Д. П. Брунштейн.

Википедия

Релаксация (физика)

Релакса́ция (от лат. relaxatio «ослабление, уменьшение») — процесс установления термодинамического, а следовательно, и статистического равновесия в физической системе, состоящей из большого числа частиц.

Релаксация — многоступенчатый процесс, так как не все физические параметры системы (распределение частиц по координатам и импульсам, температура, давление, концентрация в малых объёмах и во всей системе и другие) стремятся к равновесию с одинаковой скоростью. Обычно сначала устанавливается равновесие по какому-либо параметру (частичное равновесие), что также называется релаксацией. Все процессы релаксации являются неравновесными процессами, при которых в системе происходит диссипация энергии, то есть производится энтропия (в замкнутой системе энтропия не убывает). В различных системах релаксация имеет свои особенности, зависящие от характера взаимодействия между частицами системы; поэтому процессы релаксации весьма многообразны. Время установления равновесия (частичного или полного) в системе называется временем релаксации.

Процесс установления равновесия в газах определяется длиной свободного пробега частиц $l$ и временем свободного пробега $t$ (среднее расстояние и среднее время между двумя последовательными столкновениями молекул). Отношение $l/t$ имеет порядок величины скорости частиц. Величины $l$ и $t$ очень малы по сравнению с макроскопическими масштабами длины и времени. С другой стороны, для газов время свободного пробега значительно больше времени столкновения $t_{0}$ $(t\gg t_{0})$ . Только при этом условии релаксация определяется лишь парными столкновениями молекул.

https://ru.wikipedia.org/wiki/Релаксация (физика)